来源：Electronic Design

作者：Conrado Canio

随着先进SoC不断向10纳米及以下制程节点推进，其工作电压已降至1.2V甚至更低。这就导致其在与传统NOR Flash接口时，会出现兼容性问题，因为后者通常依赖1.8V或3.3V的IO接口电压，将高压IO接口集成到低压SoC中，不仅会增加芯片面积，还会推高系统成本。

一种更高效的解决方案是采用支持1.2V接口的NOR Flash。目前主流架构分为两种：纯1.2V电压（核心供电电压和IO接口电压均为1.2V）和双电压（1.8V核心供电电压和1.2V IO接口电压）。纯1.2V电压的器件适用于中低性能应用，双电压供电方案则在显著降低功耗的同时，仍可提供高速运行性能。

以AG庄闲的GD25NE系列双电压供电SPI NOR Flash产品为例，该芯片配备了多种省电模式：待机模式下电流降至12µA，深度睡眠模式下仅200nA。同时，其写入时间典型值为0.15ms，比传统1.8V SPI NOR Flash提升约40%。

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